Содержание

Обзор твердотельных накопителей Samsung 850 Evo, 860 Evo и 860 Pro

Методика тестирования накопителей образца 2016 года

На начало этого года нами было запланировано небольшое обновление тестовой методики, однако его решено было чуть-чуть отложить, чтобы можно было сравнить еще три интересных накопителя со всеми ранее изученными. Что в них такого интересного? В первую очередь — производитель и его история.

В отличие от многих других компаний, работающих на данном рынке, компания Samsung стояла у его истоков (если можно так выразиться), причем ее всегда «интересовали» устройства высокого класса. В частности, именно Samsung 64 GB SSD SATA-2 около десяти лет назад был одним из немногих конкурентов Intel X25-M на момент выхода последнего, причем в ряде сценариев он тогда так и остался непревзойденным. Конечно, это его не спасло: как и у всех устройств «первого поколения», высокие скоростные характеристики достигались благодаря использованию быстрой, но очень дорогой SLC-памяти. X25-M же продемонстрировал другой способ повышения производительности: сочетание [относительно] недорогого MLC-флэша с интеллектуальным контроллером. В итоге получилось быстрое устройство ценой в $600 за 80 ГБ — на что Samsung и остальные могли ответить разве что моделью с 64 ГБ за $1000.

Выводы компания сделала правильные, сразу же занявшись разработкой контроллеров. Первое время они продавались многим производителям, но звезд с неба не хватали. С другой стороны, это позволило накопить необходимый опыт и окончательно определиться с направлениями дальнейшего развития. Приняты были два серьезных решения: во-первых, продать бизнес накопителей на жестких магнитных дисках (чтоб не мешал), а во-вторых, выпускать твердотельные накопители полностью собственной разработки, причем не отдавая компоненты «на сторону». Первое на тот момент казалось смелым, но рискованным шагом: все-таки винчестеры имели очень устойчивый спрос благодаря ценам, так что напрямую флэш-память с ними конкурировать никак не могла. Однако с т. з. крупнейшего производителя полупроводников логичным было как раз поработать над тем, чтоб смогла 🙂 Что компания и делала последующие годы, тем более имея в рукаве такой серьезный козырь, как самостоятельное производство всего необходимого, а также первое место по объемам производства конкретно флэш-памяти. В итоге контроллеры всегда можно было «подогнать» под память, а память — под контроллеры, да и от рыночной конъюнктуры Samsung зависел гораздо слабее, чем большинство производителей — скорее, компания ее определяла. Многие перспективные направления тоже были правильно просчитаны заранее. В частности, более четырех лет назад мы уже знакомились с Samsung SSD 840 Evo — по сути, второй попыткой компании (первой был «обычный» 840) создать быстрый и надежный накопитель на базе TLC-памяти, которую для этого тогда не использовал никто. И даже не пытался. Нельзя сказать, что обошлось совсем без шероховатостей, но ценный опыт был накоплен. В частности, тогда же была опробована технология SLC-кэширования.

Казалось бы, что тут особенного? Сейчас TLC-память уже привычна — ее используют все. И SLC-кэш тоже. Но это было, напомним, в 2013 году. И примерно тогда же в Samsung было решено заняться «трехмерной» флэш-памятью, поскольку традиционный подход с сохранением «обычных» ячеек и уменьшением норм производства начал постепенно заходить в тупик. Впрочем, о переходе на 3D NAND в те годы заговорили все производители, поскольку все находились в сходном положении. Но от разговоров до внедрения всегда проходит достаточно много времени — кто-то преодолевает этот путь быстрее, кто-то медленнее. Samsung удалось опередить всех: уже в середине 2014 года появились первые коммерческие продукты, использующие V-NAND (как ее назвал разработчик). Первое время компания конфигурировала эту память исключительно как MLC, для работы в более щадящем режиме, однако с 2015 года начало́ увеличиваться количество кристаллов, способных надежно работать и с восемью уровнями, что позволяет хранить три бита информации. Отметим, кстати, что Samsung предпочитает не использовать аббревиатуру «TLC», говоря о «3-bit MLC». В принципе, это вполне корректно, хоть некоторых и может сбивать с толку. Но большинству покупателей важно, все-таки, не как что называется, а как оно работает. И сегодня мы это изучим на примере трех продуктов Samsung — двух совсем новых и одного тоже почти нового.

Samsung V-NAND SSD 850 Evo 500 ГБ

Первые накопители линейки с таким названием появились, как уже было сказано, в 2015 году. В принципе, они были сильно похожи на 840 Evo, но использовали вместо планарных кристаллов по 128 Гбит 32-слойную 3D той же емкости. Чуть похудел ассортимент: 120 / 250 / 500 / 1000 ГБ — без интересной промежуточной модели емкостью 750 ГБ. В старшей модели остался даже тот же трехъядерный контроллер MEX, что и в 840 Evo, а остальные получили двухъядерные, но усовершенствованные MGX, работающие в паре с памятью LPDDR2 с частотой 1066 МГц и емкостью до 1 ГБ. При этом накопитель (как и предшественник) позиционировался как конкурент устройствам среднего уровня — в то время в основном использующим MLC-память. Впрочем, даже таковые зачастую имели лишь трех-, а не пятилетнюю гарантию, ставшую визитной карточкой семейства Evo. В том числе, и появившейся чуть позже модификации на 2 ТБ — что по тем временам было очень серьезным значением, так что потребовало и появления специального контроллера MHX (заодно и DRAM-кэш в этой модели перевели на более быструю LPDDR3-память).

Существенно превзойденным во втором поколении 850 Evo, где применялась уже 48-слойная 3D NAND с кристаллами по 256 Гбит. В принципе, это и при прочих равных позволило бы преобразовать модельный ряд из «120 /250 / 500 / 1000 / 2000 ГБ» в «250 / 500 / 1000 / 2000 / 4000 ГБ», что и было сделано, но и прочими равными компания не ограничилась. Переведя, например, DRAM-кэш с LPDDR2 на LPDDR3 во всей линейке и т. п. Впрочем, в основном эти улучшения были уже косметическими и на производительности не слишком сказывались. Да это и не требовалось — отлаженный процесс производства позволял выпускать быструю и надежную память в то время, как конкуренты все еще делали только лишь первые шаги на этом пути.

А в конце прошлого года компания в очередной раз обновила 850 Evo — поскольку производство было уже переведено на 64-слойную память: более выгодную экономически. Принципиальных изменений между моделями нет, так что, как и предыдущий «апгрейд» этот прошел тихо: просто с определенного момента прекратились поставки накопителей старого образца и начали отгружаться исключительно новые. Какие-то отличия в части модификаций можно было бы и поискать — в частности, устройства емкостью от 1 ТБ начали использовать кристаллы по 512 Гбит, но в 250 и 500 ГБ для сохранения ТТХ на прежнем уровне так и осталось 256 Гбит. И кэш-память типа LPDDR3 из расчета «мегабайт на гигабайт емкости». Гарантия, естественно, осталась пятилетней — ограниченной TBW по формуле «75 ТБ на каждые 250 ГБ», т. е. 150 ТБ для нашего героя.

Главным для покупателя в общем-то во всех этих эволюционных изменениях было постоянное снижение цен. Остальные производители как правило добивались подобного эффекта выпуском новых моделей — Samsung предпочитал дорабатывать имеющуюся. В итоге 850 Evo в конце жизненного цикла это совсем не тот 850 Evo, что в начале. В 2015 году эти накопители не пытались по цене конкурировать с самыми дешевыми SSD на рынке — для этого Samsung иногда выпускал устройства на планарной TLC, типа 750 Evo или 650. В 2017 уже могли. При этом их скоростные характеристики как минимум не снижались — внедрение же TLC-памяти в продуктах других компаний, как мы уже не раз отмечали, сопровождалось обычно уменьшением производительности и надежности. Впрочем, три года — срок немалый: за это время «подтянулись» и производители контроллеров, и 3D NAND других поставщиков. На что Samsung заготовил даже не один, а два ответа.

Samsung V-NAND SSD 860 Evo 500 ГБ

Буквально через несколько месяцев после последнего «апгрейда» 850 Evo, компания выпустила новую линейку накопителей — на той же памяти. Практически на той же: в моделях от 1 ТБ не изменилось ничего, а модификация на 500 ГБ (которую мы сегодня и будем тестировать) получила аналогичные старшим кристаллы по 512 Гбит, вместо 256 Гбит. Таким образом, в каких-то условиях она может и отставать от предшественницы, что можно считать недостатком. Но вполне предсказуемым: 500 ГБ ныне уже никакого пиетета не вызывает, постепенно превращаясь в ходовой объем, по цене доступный уже многим пользователям. Для чего нужно снижать себестоимость — пусть даже ценой снижения некоторых скоростных характеристик.

Поскольку происходить это будет не всегда: новая серия накопителей получила и новый контроллер MJX. Он остался двухъядерным, зато тактовая частота выросла почти в два раза, что позволяет работать с более сложными алгоритмами. В частности, впервые за долгие годы (с самого появления в 840 Evo!) изменился SLC-кэш. Ранее он был статическим, теперь же при необходимости и наличии свободных ячеек новый контроллер может задействовать часть их в SLC-режиме, отложив «уплотнение» данных «на потом» — когда нагрузка уменьшится. На практике это означает, что, если 840 Evo и все версии 850 Evo на 500 ГБ могли на высокой скорости принять лишь 6 ГБ данных (статический SLC-кэш, размерами 3 ГБ на каждые 250 ГБ емкости), то в аналогичном 860 Evo предел увеличен уже до 22 ГБ. В принципе, последние контроллеры Silicon Motion (типа SM2258 или SM2259) могут записывать в SLC-режиме хоть все свободные ячейки (т. е. в пределе до трети полной емкости устройства), однако на практике достаточно и первого значения. Строго говоря, большинству пользователей, не увлекающемуся «охотой на попугаев» в бенчмарках, и 6 ГБ было более чем достаточно, однако раз уж конкуренты появились, надо как-то на это отвечать.

В принципе, и увеличение TBW для сохранения гарантийных условий можно тоже считать ответом на внешние воздействия. К примеру, появившиеся в прошлом году накопители серии Intel 545s имеют пятилетнюю гарантию, но ограниченную 72 ТБ на каждые 128 ГБ емкости. В 850 Evo, напомним, 75 ТБ на 250 ГБ, т. е. почти вдвое меньше. А в 860 Evo уже стало чуть больше, поскольку предыдущее значение удвоено: 150 ТБ на каждые 250 ГБ. В общем-то, компании никто не мешал сделать это и раньше. И не только потому, что накопители на это физически способны — просто при их использовании «по-назначению» в обычных персональных компьютерах объемы записи куда скромнее. Почему же производители их ограничивают? Чтобы немного защититься от достаточно популярного «нецелевого» использования — когда потребительские накопители с длинной гарантией устанавливают куда-нибудь в сервер: резервные копии есть, а «накроется» — поменяют. Естественно, это снижает продажи устройств соответствующего назначения, что их основным поставщикам (а Samsung к таковым относится в полной мере) абсолютно не нужно. Особенно с учетом наличия в ассортименте еще одного продукта…

Samsung V-NAND SSD 860 Pro 512 ГБ

Выпуск в 2018 году в новой линейке SATA-накопителя на базе MLC-памяти — решение, конечно, очень смелое, но вполне оправданное. Во всяком случае, если абстрагироваться только лишь от запросов сферических пользователей ПК в вакууме, а посмотреть на рынок шире. После чего мы сразу же увидим, например… разнообразные сетевые хранилища. NVMe-устройства там не нужны. До последнего времени считалось, что и SSD вообще не нужны, поскольку стоят они слишком дорого, а производительность определяется не ими. При использовании гигабитных сетевых адаптеров и небольшом количестве одновременных запросов это действительно так. А с каким-нибудь корпоративным хранилищем может сразу работать и десяток-другой пользователей, да и для соединения его с коммутатором вполне может использоваться канал на 10 Гбит/с — и вот тут уже винчестеры будут узким местом, что мы в процессе тестирования топовых NAS неоднократно наблюдали. А твердотельные накопители — не будут. Конечно, они обойдутся дороже, но если проблему можно решить за деньги, то это уже не проблема, а всего лишь расходы 🙂 В принципе, для такой работы подойдет и устройство на базе TLC-памяти, но MLC обеспечит более стабильные скоростные характеристики, да и ресурс тоже.

Более интересен в данном случае вопрос используемой памяти. Предыдущая MLC-линейка компании, а именно накопители серии 850 Pro использовали отбраковку от 3D TLC NAND — с чем связан и немного атипичный размер кристалла на старте: 86 Гбит. Слова «отбраковка», разумеется, пугаться не стоит: очевидно, что режим работы ячеек с четырьмя уровнями является куда более щадящим, нежели с восемью, а не только более быстрым. В новых же накопителях применяются кристаллы 64-слойной MLC 3D NAND, емкостью 256 Гбит. С TLC это никак не «бьется», так что можно предположить, что Samsung делает такую память специально. С другой стороны (что более вероятно с учетом того, что на дворе уже 2018 год) это может быть и побочным результатом работы по освоению выпуска кристаллов QLC 3D NAND емкостью 512 Гбит. Понятно, что выпуск качественной памяти такого типа очень сложен, но заниматься ей все равно нужно. А дальше срабатывает то, о чем было сказано выше — имея собственное производство (причем крупнейшее по объемам), от рыночной конъюнктуры Samsung не зависит. Если бы компании нужно было закупать память на открытом рынке, выпуск SSD на MLC был бы крайне рискованным мероприятием. При собственном производстве — нет. Особенно, если это действительно те чипы, которые неспособны хранить по четыре бита в ячейке — куда-то же их девать все равно нужно. А покупатели в итоге могут приобрести устройство с большим ресурсом — TBW для моделей на 1 ТБ и выше впору именовать PBW, поскольку счет там идет на петабайты, что для накопителей пользовательского назначения немного непривычно. Собственно, и для 512 ГБ речь идет о 600 ТБ на пятилетней срок гарантии — против 300 и 150 ТБ соответственно для 860 / 860 Evo. Но не дешево, разумеется. Но, по крайней мере, соответствующее предложение в ассортименте компании есть, чем можно и воспользоваться — при необходимости или просто при желании (и финансовой возможности).

Конкуренты

Для сравнения мы решили взять результаты двух накопителей: Intel 545s 512 ГБ и WD Blue 3D SSD 500 ГБ, благо оба актуальны на данный момент и используют сходную (в первом приближении) память. 545s с нашими героями также роднит пятилетняя гарантия, причем и ограничения ее условий сходны с 860 Evo (впрочем, кто на ком стоял вопрос сложный, как уже было сказано выше). У Blue 3D до последнего времени срок гарантии составлял три года, однако сейчас компания начала процедуру его увеличения до тех же пяти лет. Впрочем, и при «старых» условиях сравнивать Blue 3D с остальными участниками можно — это тоже накопитель от крупного и известного производителя, да и цены близкие.

Тестирование

Методика тестирования

Методика подробно описана в отдельной статье. Там можно познакомиться с используемым аппаратным и программным обеспечением.

Производительность в приложениях

Как и следовало ожидать, с точки зрения тестов высокого уровня все примерно одинаковы. Но не совсем — если вооружиться лупой, можно разглядеть, что тройка SSD Samsung немного быстрее, чем предложения Intel и WD. А распределение мест внутри нее тоже предсказуемо: самым быстрым оказывается 860 Pro, а самым медленным — 860 Evo. Однако чтобы это заметить, нужна уже не лупа, а микроскоп 🙂

Что же касается потенциальных возможностей накопителей, то в целом картина не изменилась — разве что отрыв от «преследователей» увеличился. В итоге современные версии Evo — первые попавшие к нам в руки SATA-накопители на TLC-памяти, способные в этом тесте «перевалить» за 300 МБ/с. Впрочем, и безотносительно ее типа ранее у нас в лаборатории побывало лишь одно способное на это устройство — Toshiba Q300 Pro 256 ГБ. Таким образом, единственное, что несколько омрачает значимость события — потенциальность данного результата.

Предыдущая версия тестового пакета демонстрирует нам аналогичную картину. В целом для накопителей Samsung скорее благоприятную, чем наоборот. Т. е. понятно, что если разница в скорости заметна только в тестах, ей можно и пренебречь — но почему бы при прочих равных не выбрать более быстрый накопитель. При неравных — уже выбирать нужно: что важнее.

Последовательные операции

С этими сценариями при ограниченной области данных давно все ясно — ограничителем для SATA-накопителей является собственно интерфейс SATA. В т. ч. и при записи, поскольку SLC-кэширование давно уже стало стандартным поведением накопителей на базе TLC, а для MLC-памяти никакие ухищрения и сами по себе не нужны. Поэтому в обновленной тестовой методике мы задачу усложним 🙂 А сегодня просто отложим окончательный вердикт до более серьезных нагрузок.

Случайный доступ

Контроллеры Samsung давно уже с такими нагрузками справляются легко и непринужденно, 3D NAND собственного производства медлительностью тоже никогда не отличалась — в итоге и результаты высокие. Разве что проигрыш 860 Evo предшественнику той же емкости может кого-то расстроить, однако ничего неожиданного в нем нет — увеличение емкости кристаллов и уменьшение их количества так и должно было сработать. В конце-концов, запас производительности был достаточным для того, чтобы даже после ее снижения все равно опережать накопители того же класса от других производителей, а «внутрифирменная» конкуренция все равно не планируется: по мере исчерпания старых запасов, 850 Evo просто исчезнет с прилавков.

Работа с большими файлами

Чтение данных как неоднократно было сказано проблемой для памяти любого типа давно не является (вот контроллеры могут производительность ограничивать), так что все дружно уперлись в интерфейс на сопоставимом уровне.

Запись заведомо «вылетает» за емкость SLC-кэша, несмотря на увеличение его емкости в 860 Evo, а производительность собственно массива памяти за счет снижения параллелизма снизилась. Соответственно, если 850 Evo выдавал максимум для SATA600, то его сменщик этого не может. И даже отстает от конкурентов, использующих в моделях такой емкости кристаллы по 256 Гбит, «придерживая» более крупные для больших емкостей.

Еще один сложный (до сих пор) сценарий для TLC-накопителей — запись одновременно с чтением. Впрочем, 860 Pro по понятным причинам эта проблема не касается — использование двухбитных ячеек в паре с высокопроизводительным контроллером позволяет устройству демонстрировать максимальную доступную для SATA600 производительность. А вот накопители семейства Evo заметно медленнее — особенно при (псевдо)случайном доступе. Впрочем, несложно также заметить, что обеспечить заметно более высокую производительность можно разве что за счет хитростей, типа «бесконечного» SLC-кэша накопителей на базе последних контроллеров Silicon Motion, но не при использовании обычного статического кэширования. Да и «необычного» как в 860 Evo тоже — справляется оно только при меньших объемах информации. Однако все это становится незначимым, если вспомнить, что большинстве твердотельных накопителей дела обстоят не лучше 🙂 Но, при этом, такого выбора, как Samsung (обновивший MLC-линейку — пусть и по соответствующей цене), их производители покупателю не оставляют.

Рейтинги

Как уже было сказано выше, производительность 860 Evo можно было и снизить — все равно «в попугаях» он длиннее основных конкурентов. А если нужно еще больше «пернатых», охотиться за ними принято в других местах — снабженных другими интерфейсами, во всяком случае. Последний давно уже многое определяет — почему мы сразу и написали, что 860 Pro это в первую очередь не «про скорость». Во всяком случае, не про ту, которая интересна индивидуальному пользователю ПК.

Но, естественно, представители этой линейки отлично справятся и с такими нагрузками — просто для этого они избыточны. Равно как и гарантийный ресурс тоже совсем из другой области, но особо мнительным покупателям может пригодиться. А с точки зрения производительности и Evo вполне достаточно. В т. ч. и новой серии — где таковая немного снизилась, но все равно осталась заметно более высокой, чем у большинства конкурирующих разработок. Во всяком случае, в пределах класса — понятно, что смена интерфейса позволяет убрать некоторые узкие места (как минимум, в плане низкоуровневых характеристик), но это отдельная история.

Цены

В таблице приведены средние розничные цены протестированных сегодня SSD-накопителей, актуальные на момент чтения вами данной статьи:

Итого

В принципе, на какие-либо открытия мы не рассчитывали: Samsung, как уже было сказано в начале, имеет солидный опыт как разработки твердотельных накопителей в целом, так и использования (и производства, что особенно важно) 3D NAND TLC. По сути, компания просто обогнала конкурентов «на повороте»: о необходимости перехода на 3D NAND говорили все, но вот сам переход у большинства проходил с большими сложностями. Полученной форой в пару лет в Samsung распорядились правильным образом, в результате чего сейчас решения компании на базе TLC-памяти являются одними из лучших на рынке. И очень важно, что к настоящему моменту они даже могут считаться недорогими: из «среднего» класса линейка Evo постепенно спустилась в бюджетный, не растеряв попутно своих преимуществ.

При этом высокие объемы производства позволяют компании не забрасывать полностью MLC NAND. Конечно, эта память уже превратилась в нишевое решение, но ниша у нее однозначно есть. А при дальнейшем снижении цены она только расширится. И конечно, 860 Pro будет относительно популярен и у обычных пользователей, поскольку некоторые из них до сих пор настороженно относятся к TLC-памяти. Понятно, что за психологический комфорт им придется доплатить… Но с другой стороны, а за что еще стоит платить, как не за комфорт? 🙂

Таково положение на день сегодняшний. Что будет завтра — неизвестно. На полупроводниковом рынке безусловно нужно бежать, чтобы просто оставаться на месте, а чтобы куда-то попасть — бежать нужно вдвое быстрее. В скором будущем нас ожидают новые «повороты» в виде внедрения QLC NAND, а то и вовсе «не-NAND»-памяти. И кто из производителей справится с переходом в наилучшей степени, покажет только время. Пока же положению Samsung на рынке SSD никто серьезно не угрожает, и новые линейки накопителей целиком и полностью это подтверждают.

www.ixbt.com

быстрый, долговечный, массовый / Накопители

Компания Samsung за несколько последних лет смогла не только завоевать звание лидера рынка потребительских SSD, но и стать на этом рынке самым главным новатором. Первыми твердотельными накопителями, которыми Samsung смогла привлечь серьёзное внимание к собственным продуктам, стали представители вышедшей в 2011 году серии SSD 830. А уже через год, с появлением 840 Pro, накопители Samsung стали своеобразным «золотым стандартом» — лучшими SATA SSD для высокопроизводительных персональных компьютеров верхнего ценового сегмента. Попутно Samsung боролась и за массового пользователя: для этой категории потребителей были выпущены специальные накопители серий 840 и 840 EVO. Используя свои огромные производственные и инженерные возможности, в этих накопителях компания Samsung смогла первой на рынке внедрить трёхбитовую TLC NAND, чем добилась существенного снижения себестоимости накопителей. Вертикальная интегрированность самсунговского производства SSD — отличный козырь при внедрении любых новых технологий, и с применением в потребительских твердотельных накопителях TLC-памяти компания смогла опередить ближайших конкурентов как минимум на пару лет.

Инновации продолжаются и по сей день. Огромный скачок вперёд Samsung сделала в 2013 году, когда смогла начать серийный выпуск трёхмерной флеш-памяти, 3D V-NAND. Трёхмерная память легко решает проблему масштабируемости кристаллов флеш-памяти и дальнейшего наращивания плотности хранения данных в них. Очевидно, что традиционный экстенсивный путь, предполагающий удешевление производства флеш-памяти за счёт внедрения новых технологических процессов с более тонкими нормами, в ближайшем будущем натолкнётся на серьёзные фундаментальные препятствия. Освоив же технологию выпуска многослойных кристаллов флеш-памяти, Samsung получила огромный простор для дальнейшего беспрепятственного движения вперёд. Выпущенный в середине прошлого года SSD 850 Pro, ставший первым серийным флеш-накопителем на базе 32-слойной MLC 3D V-NAND, продемонстрировал огромный потенциал новой технологии. Выход структуры флеш-памяти в третье измерение ознаменовался заметным увеличением производительности и существенным ростом надёжности, в результате чего Samsung 850 Pro получил звание одного из лучших твердотельных SATA-накопителей современности для энтузиастов.

Однако у Samsung 850 Pro всё-таки есть один неприятный, с точки зрения обычного пользователя, изъян. Этот накопитель, как и всякий флагманский продукт, имеет достаточно высокую цену. Поэтому вслед за этой моделью Samsung, которую в её стремительном движении по пути прогресса не может остановить уже, похоже, ничто,  выпустила другой SSD — 850 EVO. Этот накопитель базируется ещё на одной разновидности принципиально новой трёхмерной флеш-памяти, которая объединяет передовую многослойную 3D V-NAND-структуру с удешевлённой архитектурой TLC NAND. И в результате в лице Samsung 850 EVO вырисовывается массовый продукт, претендующий на то, чтобы стать непревзойдённым вариантом по соотношению цены, производительности и надёжности. По крайней мере в теории всё выглядит именно так.

Для того же, чтобы проверить эту красивую легенду, мы взяли на тесты пару экземпляров Samsung 850 EVO. Эти накопители только-только появляются в продаже, и поэтому результаты их тестов вызывают огромный практический интерес.

⇡#Технические характеристики

Несмотря на все нововведения, новый твердотельный накопитель Samsung 850 EVO — прямой наследник предыдущей массовой модели, 840 EVO. Ключевыми компонентами, обеспечивающими хорошие потребительские характеристики 840 EVO, выступали TLC-память, собственный контроллер Samsung и технология TurboWrite. В новом SSD 850 EVO набор почти такой же, просто поновее: на место TLC NAND пришла трёхмерная TLC V-NAND, вместо контроллера Samsung MEX используется обновлённый контроллер Samsung MGX, никуда не делась и технология TurboWrite, в описании которой добавилось прилагательное «усовершенствованная». Взглянем на весь этот набор по порядку.

Естественно, самое главное и самое интересное в Samsung 850 EVO — это трёхмерная трёхбитовая память. И о 3D NAND, и о TLC NAND мы уже говорили ранее в соответствующих обзорах. Но теперь обе эти технологии слились воедино, и, надо сказать, получилось у них это очень органично. У обычной планарной TLC-памяти есть две проблемы, уходящие корнями в сам принцип её функционирования: низкая скорость и низкая надёжность. Связано это с тем, что ячейки TLC NAND для хранения трёх бит данных должны различать восемь уровней напряжения, в то время как, например, в MLC NAND используется лишь четыре уровня. Поэтому программирование и снятие уровня напряжения в TLC NAND занимает больше времени, а надёжность хранения сильно страдает от износа полупроводниковой структуры ячейки: даже небольшое утончение слоя диэлектрика может приводить к утечке заряда с плавающего затвора. Более того, с внедрением новых, более «тонких» техпроцессов проблема выносливости ячеек TLC NAND только усугубляется, так как компоненты каждой ячейки приобретают меньшие геометрические размеры изначально.

Ключевая же идея 3D V-NAND заключается в том, что более плотного хранения информации в кристаллах флеш-памяти можно добиться не за счёт миниатюризации геометрии техпроцесса, а путём расположения ячеек в трёх плоскостях. Например, применяемая в Samsung 850 Pro трёхмерная MLC NAND имеет 32 слоя, и это позволяет при её производстве использовать 40-нм техпроцесс, но при этом всё равно получать полупроводниковые кристаллы с меньшей площадью, нежели у планарной MLC NAND, выпущенной по 16-нм нормам. Очевидно, что если аналогичный подход применить к TLC NAND, то проблема с надёжностью и отчасти со скоростью работы может быть легко решена. «Кондовые» 40-нм ячейки более устойчивы к износу, а их плавающий затвор может удерживать гораздо большее число электронов, обеспечивая уверенную вариативность при программировании и распознавании логических уровней. Иными словами, скрещивание технологий TLC и 3D V-NAND не меняет основных принципов функционирования трёхбитовой памяти, но попутное укрупнение ячеек приводит к их лучшей стабильности. Samsung, в частности, утверждает, что вероятность возникновения ошибок при снятии данных с её TLC V-NAND, произведённой по 40-нм нормам, примерно на порядок ниже, чем у планарной TLC-памяти.

Есть выигрыш и в скорости программирования. Планарная TLC NAND при записи данных требует подачи на управляющий затвор ячеек нескольких последовательных импульсов и многочисленных промежуточных проверок правильности программирования. С трёхмерной же TLC V-NAND число итераций удаётся сократить, и продолжительность операций записи снижается примерно на 50 процентов. Похожим образом сокращается и цикл чтения.

Как вы наверняка помните, полупроводниковые кристаллы современной 32-слойной MLC V-NAND, производимые по технологическому процессу с нормами 40 нм и применяемые в Samsung 850 Pro, имеют ёмкость 86 Гбит. Для Samsung 850 EVO память производится точно по такой же технологии, но, благодаря записи в каждую ячейку не двух, а трёх бит информации, ёмкость кристаллов возрастает в полтора раза — до 128 Гбит. При этом такие кристаллы имеют примерно вдвое меньшую площадь по сравнению с планарными 128-гигабитными кристаллами TLC NAND, которые Samsung производит по 19-нм техпроцессу. И это — прекрасная иллюстрация эффективности дизайна TLC V-NAND: с внедрением в неё трёхмерности Samsung не только добивается значительного улучшения характеристик скорости и надёжности дешёвой трёхбитовой памяти, но и дополнительно снижает свои издержки на её производство.

Учитывая, что 850 EVO в конечном итоге должен стать недорогим накопителем, Samsung не стала устанавливать в него и свой лучший контроллер MEX, который при использовании SATA-интерфейса позволяет получить максимальную скорость работы. Специально для модели 850 EVO был разработан новый упрощённый и более энергоэффективный контроллер MGX, который имеет лишь два, а не три ядра ARM Cortex-R4. Однако он производится по более современному техпроцессу, что позволило производителю поднять его частоту. В результате потеря в пиковой производительности составила всего лишь порядка 2-5 процентов, что вряд ли можно назвать серьёзной утратой. Более того, в терабайтной версии 850 EVO, где для обслуживания таблицы трансляции адресов действительно требуется хорошая производительность, используется старый контроллер MEX.

В результате линейка Samsung 850 EVO получила следующий набор характеристик:

ПроизводительSamsung
Серия850 EVO
Модельный номерMZ-75E120MZ-75E250MZ-75E500MZ-75E1T0
Форм-фактор2,5 дюйма
ИнтерфейсSATA 6 Гбит/с
Ёмкость120 Гбайт250 Гбайт500 Гбайт1 Тбайт
Конфигурация
Микросхемы памяти: тип, интерфейс, техпроцесс, производительSamsung 128 Гбит 40-нм TLC V-NAND
Микросхемы памяти: число / количество NAND-устройств в чипе1/82/84/88/8
КонтроллерSamsung MGXSamsung MEX
Буфер: тип, объемLPDDR2-1066,
256 Мбайт
LPDDR2-1066,
512 Мбайт
LPDDR2-1066,
512 Мбайт
LPDDR2-1066,
1 Гбайт
Производительность
Макс. устойчивая скорость последовательного чтения540 Мбайт/с540 Мбайт/с540 Мбайт/с540 Мбайт/с
Макс. устойчивая скорость последовательной записи520 Мбайт/с520 Мбайт/с520 Мбайт/с520 Мбайт/с
Макс. скорость произвольного чтения (блоки по 4 Кбайт)94000 IOPS97000 IOPS98000 IOPS98000 IOPS
Макс. скорость произвольной записи (блоки по 4 Кбайт)88000 IOPS88000 IOPS90000 IOPS90000 IOPS
Физические характеристики
Потребляемая мощность: бездействие/чтение-запись0,2 Вт/3,7-4,4 Вт
MTBF (среднее время наработки на отказ)1,5 млн ч
Ресурс записи75 Тбайт150 Тбайт
Габаритные размеры: Д × В × Г100 × 69,85 × 6,8 мм
Масса66 г
Гарантийный срок5 лет
Рекомендованная цена$90$135$240$470

В этой таблице прекрасно всё, ну или почти всё, за исключением стоимости. Samsung решила пока не ввязываться в ценовую войну с производителями дешёвых накопителей, а выступать со своей многообещающей новинкой в среднем рыночном сегменте. Впрочем, на то у неё есть все основания: всё-таки 850 EVO — достаточно производительный и надёжный SSD для того, чтобы его хорошо покупали и не по совсем бросовой цене.

Говоря о достоинствах Samsung 850 EVO, начать, пожалуй, стоит с того, что производитель даёт на этот флеш-привод пятилетнюю гарантию, что соответствует гарантийному сроку многих флагманских моделей. Более длительной гарантией обладают лишь Samsung 850 Pro и SanDisk Extreme Pro. И это значит, что Samsung ожидает от своей TLC V-NAND ресурса как минимум не хуже, чем у современной планарной MLC NAND. Об этом же говорят и заявленные показатели выносливости: для младших моделей разрешена запись по 41 Гбайт в день, а для старших — по 82 Гбайт ежедневно. То есть надёжность у Samsung 850 EVO явно выше среднего, а модификации на 500 Гбайт и 1 Тбайт и вовсе обладают таким же ресурсом, как и Samsung 850 Pro. Иными словами, с точки зрения заявленного ресурса Samsung 850 EVO куда ближе к дорогим, чем к бюджетным моделям.

Примерно то же можно сказать и о заявленных скоростных характеристиках. Отставание Samsung 850 EVO от старшего собрата 850 Pro, который мы считаем самым быстрым SSD сегодняшнего дня, чисто символическое, причём проявляется оно исключительно на операциях чтения. Похоже, что Samsung 850 EVO сможет и здесь конкурировать с флагманскими SATA SSD других производителей. Правда, следует понимать, что высокие скорости, заявленные в спецификациях, учитывают работу технологии TurboWrite, использующей для ускорения операций псевдо-SLC-кеш. И числа в таблице — это скорость работы кеша, то есть при длительных операциях с большими объёмами данных нас будет ожидать совсем иное быстродействие. Впрочем, размер быстрого кеша у Samsung 850 EVO не так уж и мал. Для моделей на 120 и 250 Гбайт его объём установлен на отметке 3 Гбайт, для модификации на 500 Гбайт — 6 Гбайт, а для терабайтного накопителя — 12 Гбайт. При записи данных на накопитель в первую очередь всегда заполняется этот скоростной буфер, а во время простоя данные из него переносятся в более медленную TLC-память. Таким образом, в обычной повседневной работе никакого падения производительности, скорее всего, заметно не будет.

Реализованы в Samsung 850 EVO и все остальные атрибуты добротного SSD. В нём есть поддержка энергосберегающего состояния DevSleep, а также аппаратный движок шифрования, который совместим со стандартами TCG Opal 2.0 и IEEE-1667 и может управляться из среды операционной системы, например через стандартное средство BitLocker.

Остаётся лишь напомнить, что твердотельные накопители компании Samsung снабжаются одной из лучших сервисных утилит Magican, версия которой к настоящему моменту доросла до 4.5. В этой утилите, помимо обычных возможностей для такого рода программ, есть и поддержка технологии RAPID 2.1 — программного кеширования операций ввода-вывода в оперативной памяти компьютера. На данном этапе развития эта технология получила возможность задействовать под кеш до 4 Гбайт памяти. Впрочем, мы всё ещё не рекомендуем пользоваться подобными функциями, так как они не гарантируют сохранности пользовательских данных при системных сбоях или внезапных отключениях питания.

⇡#Внешний вид и внутреннее устройство

Samsung 850 EVO основывается на контроллерах с восьмиканальной архитектурой, а TLC V-NAND, устанавливаемая в этих накопителях, имеет ядра ёмкостью 128 Гбит. Это означает, что достаточной для обеспечения максимальной производительности степенью внутреннего параллелизма обладают старшие модификации SSD ёмкостью 500 Гбайт и 1 Тбайт. Именно поэтому в нашем сегодняшнем тестировании принимают участие сразу два экземпляра новинки — объёмом 250 и 500 Гбайт.

Вполне естественно, что модификации Samsung 850 EVO разной ёмкости снаружи выглядят совершенно одинаково.

 

Для этого SSD используется точно такой же тонкостенный 2,5-дюймовый алюминиевый корпус высотой 7 мм, как во флагманской модели, 850 Pro. Внешний окрас — чёрный, на лицевой поверхности краской нанесён логотип Samsung и серый квадрат, в том или ином виде присутствующий на всех SSD компании такого же форм-фактора. На оборотной стороне корпуса имеется этикетка, из которой можно почерпнуть информацию о названии и ёмкости модели, её артикуле и серийном номере.

А вот внутренности Samsung 850 EVO смотрятся куда необычнее. Например, при вскрытии 250-гигабайтной модели мы были очень удивлены размерами печатной платы и тем, что на ней присутствует всего четыре микросхемы.

 

Внутри 500-гигабайтной модели использована плата чуть большего размера, однако ей всё равно очень далеко до того, чтобы заполнить всё пространство внутри корпуса.

 

Современные технологические процессы, которые использует Samsung при производстве начинки своих SSD, позволяют обходиться без каких-либо теплопроводящих прокладок или иных средств для отвода тепла от микросхем на поверхность корпуса. Не стали корейцы раскошеливаться и на реализацию усиленной схемы питания, позволяющей контроллеру корректно завершать работу с таблицей трансляции адресов при внезапных отключениях.

Что же касается номенклатуры используемых чипов, то в обоих случаях мы видим одинаковые базовые контроллеры Samsung MGX и одинаковые чипы флеш-памяти, каждый из которых имеет ёмкость 128 Гбайт и содержит внутри себя по восемь 16-гигабайтных кристаллов TLC V-NAND, произведённых по 40-нм техпроцессу. Не различаются у SSD ёмкостью 256 и 512 Гбайт и микросхемы оперативной памяти. В обоих случаях это LPDDR2 SDRAM объёмом 512 Мбайт.

Заметьте, никаких отдельных микросхем SLC NAND, обеспечивающих работу кеширующей технологии TurboWrite, внутри Samsung 850 EVO не предусмотрено. Вместо этого роль SLC-буфера играет небольшая часть ячеек TLC-памяти, выделенных из общего массива. Именно поэтому накопители серии 850 EVO имеют столь нетипичную линейку объёмов, кратных 250 Гбайт (за исключением младшей версии). Примерно 3,5 процента от общей вместимости флеш-памяти отводится на псевдо-SLC-кеширование, и ещё порядка 5,5 процента — на подменный фонд и работу технологий выравнивания износа и сборки мусора.

Ну и в заключение внешнего знакомства с Samsung 850 EVO — о комплекте поставки. Вернее, о его отсутствии: в коробке с SSD, кроме собственно твердотельного накопителя, вы не обнаружите ничего полезного, даже салазок для установки в 3,5-дюймовый отсек корпуса. В этом отношении рассматриваемая модель подобна всем остальным SSD данного производителя. Переходим к тестированию накопителя.

Если Вы заметили ошибку — выделите ее мышью и нажмите CTRL+ENTER.

3dnews.ru

с 48-слойной TLC 3D V-NAND внутри / Накопители

Ориентироваться на современном рынке потребительских SSD стало очень непросто. Мало того, что на нём представлено бесчисленное число игроков, дело осложняется ещё и тем, что многие из них совершенно не следят за постоянством характеристик предлагаемой продукции. То и дело оказывается, что в одной и той же модели SSD применяется сначала одна память, потом — другая, а иногда даже разные контроллеры. Происходит так из-за вполне естественного стремления производителей к снижению себестоимости: цены на твердотельные накопители падают, технологии флеш-памяти совершенствуются, и поэтому нет ничего удивительного в том, что платформы, лежащие в основе потребительских SSD, непрерывно эволюционируют.

Проблема же возникает из-за того, что о происходящих в начинке накопителей изменениях считают нужным сообщать далеко не все производители. Пытаясь дополнительно сэкономить на маркетинге, они нередко проводят доработку популярных моделей SSD втихую, продолжая после неё как ни в чём ни бывало продавать видоизменённые накопители под старыми названиями. Конечные же потребители от таких махинаций чаще всего оказываются в проигрыше, поскольку удешевление в большинстве случаев влечёт за собой и ухудшение потребительских характеристик. «Усовершенствованные» модели SSD могут оказаться как медленнее, так и ненадёжнее, но узнать об этом пользователь сможет лишь только после покупки, да и то если будет специально интересоваться внутренним устройством приобретённого продукта.

Именно поэтому мы обычно рекомендуем отдавать предпочтение продукции ведущих производителей SSD – они подобные фокусы почти никогда не вытворяют. Впрочем, бывают и исключения. Например, совсем недавно на прилавках магазинов стали появляться обновлённые накопители Samsung 850 EVO, в которых вместо привычной 32-слойной TLC 3D V-NAND второго поколения применена более новая трёхмерная память третьего поколения, в которой число слоёв увеличено до 48. Сама Samsung при этом считает, что сделала всё по-честному – реальные эксплуатационные характеристики накопителей, с её точки зрения, не поменялись, да и от пользователей произошедшую подмену она не особенно-то и скрывает.

Однако во всём этом можно вполне обоснованно усомниться. Переход на другую память – отнюдь не косметическое изменение как минимум потому, что новая 48-слойная TLC 3D V-NAND имеет совершенно иные характеристики. Во-первых, для её производства используется более тонкий техпроцесс, что наверняка сказывается на ресурсе. Во-вторых, поменялась и её внутренняя организация: TLC 3D V-NAND третьего поколения обладает более ёмкими ядрами, что приводит к уменьшению параллелизма используемых в SSD массивов флеш-памяти. И этих двух факторов уже вполне достаточно для того, чтобы говорить об обновлённом Samsung 850 EVO как о совершенно новой модели SSD, которую объединяет с предшественницей разве только используемый проприетарный контроллер MGX.

Учитывая всё это, мы решили не обходить стороной случившееся, а провести собственное расследование: что поменялось внутри Samsung 850 EVO и как это в конечном итоге на нём сказалось. Может быть, настала пора поменять наше отношение к этому накопителю, который мы до сих пор считали одним из наиболее привлекательных вариантов по сочетанию производительности, надёжности и цены?

⇡#48-слойная TLC V-NAND компании Samsung

Как известно, Samsung стала пионером в деле освоения производства флеш-памяти с трёхмерной компоновкой. Такая память имеет принципиально отличающуюся от планарной конструкцию – ячейки расположены в ней несколькими слоями друг над другом. Использование подобного подхода позволяет повысить плотность хранения данных в NAND-памяти на единицу площади и открывает практически неограниченные возможности для масштабирования, которые особенно актуальны в свете физических барьеров, возникающих на пути дальнейшего уменьшения геометрических размеров ячеек.

Хотя первые коммерческие партии 3D V-NAND появились ещё в 2013 году, компания Samsung до сих пор остаётся единственным производителем, который серийно выпускает трёхмерную флеш-память и применяет её в основе массовых моделей твердотельных накопителей. За это время на смену первой версии трёхмерной памяти с 24 слоями пришла вторая, 32-слойная версия, и именно она использовалась в Samsung 850 EVO с конца 2014 года и до недавнего времени. Но теперь подошла пора совершить следующий шаг, и Samsung снова нарастила число уровней NAND-ячеек в своей передовой TLC 3D V-NAND.

Стоит заметить, что 32-слойная TLC 3D V-NAND второго поколения не приносила Samsung прямой экономической выгоды. В сравнении с обычной планарной TLC NAND себестоимость производства трёхмерной памяти была выше, зато она оказалась на редкость качественным продуктом, который позволил Samsung подмять под себя рынок SSD пусть и не самыми дешёвыми, но зато быстрыми и надёжными решениями. Однако со временем ситуация сильно изменилась, и опираться на такую память и дальше для Samsung стало нецелесообразно. Во-первых, обычная планарная TLC NAND смогла добраться до 15-нм техпроцесса, чем серьёзно подкосила цены, сделав выпуск накопителей на базе 32-слойной V-NAND не слишком рентабельным бизнесом. Во-вторых, конкуренты Samsung – компании Intel и Micron – приступили к выпуску собственной TLC 3D NAND. Пока конечных продуктов с такой начинкой на рынке ещё нет, но трёхмерная память этих разработчиков обещает заметно более высокую плотность хранения данных, нежели может обеспечить 32-слойная TLC 3D V-NAND авторства Samsung.

В итоге удержание лидерства требовало от Samsung активных действий, и они не заставили себя долго ждать. Более того, готовиться к ним южнокорейская компания начала заблаговременно. Так, серийное производство третьего поколения TLC 3D V-NAND с увеличенным до 48 числом слоёв Samsung запустила ещё в августе прошлого года. Изначально такая память проходила обкатку на внешних флеш-накопителях серии T3, но впоследствии компания решила, что пора переходить на неё повсеместно. И теперь 48-слойная TLC 3D V-NAND постепенно подменяет старую 32-слойную память в самом массовом накопителе компании – в Samsung 850 EVO, как в 2,5-дюймовой, так и в mSATA- и M.2-версях.

Основные отличия и особенности новой TLC 3D V-NAND третьего поколения обусловлены желанием Samsung снизить себестоимость производства. Поэтому не стоит удивляться тому, как много в этой памяти изменений, направленных именно на уплотнение ячеек. Но в первую очередь этой цели, конечно, служит возросшее количество слоёв. 48 уровней по сравнению с 32 – это сразу полуторакратное увеличение количества данных, которое можно разместить на единице площади.

Поперечный разрез TLC 3D V-NAND третьего поколения. Фото TechInsights

Однако одним лишь ростом в вертикальной плоскости дело не ограничивается. Для того чтобы сократить количество управляющей логики, которая отъедает на полупроводниковом кристалле NAND порядка 20-30 процентов полезной площади, Samsung приняла решение удвоить ёмкость кристаллов и сделать их 256-гигабитными. Кроме того, были серьёзно уменьшены и размеры самих ячеек. Если TLC 3D V-NAND второго поколения производилась по техпроцессу с 40-нм нормами, то размеры полупроводниковых структур памяти третьего поколения таковы, что о ней нужно говорить как о 21-нм памяти.

Всё это в сумме позволяет Samsung утверждать, что плотность хранения данных в пересчёте на площадь полупроводниковой пластины выросла на 40 процентов. Это выглядит весьма уверенным прогрессом, особенно если учесть, что в эту величину заложена и производственная отбраковка. Если же говорить о параметрах полупроводниковых кристаллов, то площадь одного устройства TLC 3D V-NAND третьего поколения составляет порядка 99 мм2, и это – всего лишь на 20 процентов больше размера устройств второго поколения с вдвое меньшей ёмкостью.

Полупроводниковый кристалл TLC 3D V-NAND третьего поколения. Фото TechInsights

Трёхмерная память Samsung третьего поколения возложенную на неё задачу, несомненно, решила. Она не только смогла предложить в три-четыре раза более высокую плотность хранения информации по сравнению с современной, выпускаемой по 15-16-нм технологиям планарной TLC NAND, но и опередила по этому параметру перспективную трёхмерную память Intel-Micron. Несмотря на то, что разработанная конкурентами Samsung трёхмерная NAND реализует ещё более крупные 384-гигабитные устройства с трёхбитовой ячейкой, плотность хранения данных в ней оказывается в конечном итоге примерно на 12 процентов ниже, чем в памяти Samsung третьего поколения. Иными словами, новая TLC 3D V-NAND южнокорейского производителя позволяет ему воевать за рыночную долю не только с помощью технических характеристик предлагаемых продуктов, но и при помощи манипуляций с ценой.

Однако мы привыкли к тому, что любая оптимизация себестоимости почти всегда каким-нибудь образом портит потребительские качества. И отчасти так произошло и с трёхмерной памятью Samsung. Здесь негативных факторов два. Увеличение ёмкости полупроводниковых кристаллов приводит к тому, что построенные на их основе массивы флеш-памяти получают меньшую степень параллелизма. В теории это может снизить скорость обмена данными с контроллером SSD. Вторая потенциальная проблема – почти двукратное уменьшение размеров индивидуальных ячеек, в результате которого их полупроводниковая структура в процессе перезаписи будет изнашиваться быстрее, вызывая снижение выносливости всего массива.

Тем не менее, если верить инженерам, они смогли свести оба негативных эффекта на нет. Вопрос с производительностью успешно решён за счёт оптимизации внутренней логики устройств V-NAND, в результате чего скорость последовательных операций чтения и записи в пределах одного чипа выросла вдвое или даже больше.

Надёжность же, по мнению Samsung, проблемой не является вообще, так как современные контроллеры, применяемые в SSD компании, работают с TLC 3D V-NAND через эффективные схемы с LDPC-декодированием, которые даже из производимой по 16-нм техпроцессу планарной TLC NAND могут выжимать выносливость на уровне качественной MLC NAND.

При этом у TLC 3D V-NAND третьего поколения есть дополнительный бонус: она значительно более энергоэффективна. Потребление энергии у такой памяти ниже, чем у TLC 3D V-NAND второго поколения, на 63 процента при чтении и на 54 процента – при записи.

Подытоживая всё сказанное, представители Samsung обещают, что обновлённые 850 EVO с новой 48-слойной памятью не должны разочаровать потребителей. Согласно их заверениям, новая версия популярного накопителя не уступает предшественникам по производительности, способна предложить столь же впечатляющую реальную выносливость и при этом дополнительно может похвастать улучшенной экономичностью.

⇡#Вторая версия Samsung 850 EVO: что изменилось

Основное изменение во второй версии Samsung 850 EVO – конечно же, переход на TLC 3D V-NAND третьего поколения с большим числом слоёв, меньшими ячейками и 256-гигабитными ядрами. Однако если говорить о конструкции обновлённых 850 EVO более подробно, то одним лишь этим нововведения не ограничиваются. Фактически инженеры Samsung серьёзно перетрясли и всю остальную начинку. Впрочем, истинные причины таких изменений всё равно связаны с изменением организации массива флеш-памяти.

Двукратное увеличение объёма ядер используемой TLC 3D V-NAND уменьшает степень параллелизма массива памяти. Одно новое ядро – это сразу 32 Гбайт, поэтому для получения ёмких модификаций SSD теперь требуется вдвое меньшее число устройств NAND. И это в ряде случаев позволяет обходиться более простыми контроллерами. Раньше в младших представителях серии 850 EVO с объёмом до 512 Гбайт использовался двухъядерный процессор MGX, но он способен обслуживать лишь до 32 устройств NAND. Поэтому в основе терабайтного накопителя лежал более мощный трёхъядерный процессор MEX, который был позаимствован из 850 PRO; а для двухтерабайтной модели был разработан ещё более продвинутый чип MHX, способный работать с массивом флеш-памяти, состоящим из 128 устройств NAND.

В новой, второй версии Samsung 850 EVO контроллер MGX применяется уже в модификациях с ёмкостью до 1 Тбайт включительно. Достаточно старый чип MEX из модельного ряда вообще исключён, а наиболее мощный контроллер MHX теперь можно встретить не только в двухтерабайтной модели. С его помощью оказалось возможным дополнительно развить линейку и добавить в неё ещё одну модификацию с беспрецедентной ёмкостью 4 Тбайт.

ЁмкостьИспользуемые контроллеры
Samsung 850 EVO v1Samsung 850 EVO v2

120 Гбайт

MGX (2 ядра, 550 МГц)

250 Гбайт

MGX (2 ядра, 550 МГц)

MGX (2 ядра, 550 МГц)

500 Гбайт

MGX (2 ядра, 550 МГц)

MGX (2 ядра, 550 МГц)

1 Тбайт

MEX (3 ядра, 400 МГц)

MGX (2 ядра, 550 МГц)

2 Тбайт

MHX (3 ядра, 400 МГц)

MHX (3 ядра, 400 МГц)

4 Тбайт

MHX (3 ядра, 400 МГц)

Расширение модельного ряда в сторону роста ёмкостей одновременно означает и его сокращение с нижней стороны. Собрать на базе восьмиканального контроллера 120-гигабайтный накопитель из 256-гигабитных устройств TLC 3D V-NAND не представляется возможным, поэтому в линейке Samsung 850 EVO второй версии младшая модель упразднена. Иными словами, переходить на новую память модификация 850 EVO объёмом 120 Гбайт не будет, и в обозримом будущем она просто исчезнет из продажи. Для тех же пользователей, которые нуждаются в SSD небольшого объёма, Samsung будет предлагать исключительно накопитель серии 750 EVO, основанный на планарной трёхбитовой памяти.

Ещё одно изменение в Samsung 850 EVO новой версии – перевод DRAM-буфера на более современный тип памяти. Ранее такой буфер, который необходим для кеширования таблицы трансляции адресов, базировался на LPDDR2 SDRAM. И лишь в модификации SSD объёмом 2 Тбайт использовалась более скоростная память стандарта LPDDR3. Теперь же все варианты Samsung 850 EVO с TLC 3D V-NAND третьего поколения будут снабжаться DRAM-буфером типа LPDDR3. Размер же его остаётся старым и привычным: на каждый гигабайт ёмкости накопителя приходится 1 Мбайт ёмкости буфера.

Что касается формальных спецификаций, то в них никаких принципиальных изменений нет. Характеристики быстродействия у второй версии Samsung 850 EVO полностью совпадают с показателями первой версии. Это вполне закономерно, так как паспортная производительность этой модели определяется технологией TurboWrite. А размер и скорость SLC-кеша, работающего в рамках этой технологии, остались такими же, как и раньше. Четвертьтерабайтник имеет кеш объёмом 3 Гбайт; полутерабайтник – 6 Гбайт, терабайтник – 12 Гбайт и так далее.

Приведённая ниже таблица показывает, как выглядят паспортные характеристики на данный момент и позволяет убедиться в отсутствии принципиальных расхождений с тем, что было раньше.

Впрочем, один момент отдельного упоминания всё-таки заслуживает. Поскольку у TLC 3D V-NAND третьего поколения снизилось энергопотребление, обновлённая версия Samsung 850 EVO cтала заметно экономичнее при нагрузке. Простой пример: 850 EVO с рекордной ёмкостью 4 Тбайт потребляет при чтении и записи на 15-20 процентов меньше, чем 850 EVO 1 Тбайт первой версии.

Наиболее же волнующая часть обновлённых спецификаций, которая касается выносливости второй версии Samsung 850 EVO, осталась практически нетронутой. Несмотря на то, что трёхмерная память третьего поколения перешла на почти вдвое более мелкие полупроводниковые структуры, Samsung оставила показатели заявленного ресурса неизменными. Но здесь необходимо понимать, что озвученные Samsung значения выносливости определяются вовсе не возможностями флеш-памяти этого накопителя — они лишь должны конкретизировать условия гарантии и разграничить серверные и потребительские SSD. На самом же деле, как показывает практика, жизнеспособность представителей серии 850 EVO значительно выше. Кстати, под давлением недовольной общественности Samsung расширила ресурс для 2-Тбайт представителя серии 850 EVO: теперь до потери гарантии на него можно записать вдвое больше, чем раньше, – 300 Тбайт данных.

Если же продвинуться дальше спецификаций и заглянуть внутрь Samsung 850 EVO, то можно обнаружить ещё несколько перемен. Вполне естественно, что маркировка микросхем SDRAM и TLC V-NAND стала иной, это ведь совсем другая память. Но в дополнение к этому уменьшилось вдвое и число микросхем флеш-памяти.

 

Samsung 850 EVO v2 250 Гбайт

 

Samsung 850 EVO v2 500 Гбайт

В 250-гигабайтной модификации 850 EVO теперь установлена единственная микросхема флеш-памяти, а в 500-гигабайтной модели их всего две. Это значит, что в накопителях младших объёмов Samsung продолжает использовать старую технику штабелирования и укладывает в один корпус сразу по восемь полупроводниковых кристаллов. Но так как сами кристаллы получили большую ёмкость, в одну микросхему теперь вмещается сразу 256 Гбайт флеш-памяти. Поэтому компании удаётся сэкономить ещё немного текстолита: раньше, например, печатная плата в 850 EVO 500 Гбайт несла на себе четыре чипа флеш-памяти и имела большую площадь.

Кстати говоря, у Samsung есть технология, позволяющая упаковать в микросхему и сразу по 16 кристаллов. В этом случае объём памяти внутри одной микросхемы TLC V-NAND третьего поколения может достигать 512 Гбайт – и именно такие сборки производитель применяет в 4-Тбайт модели 850 EVO, а также в своих портативных USB 3.1-накопителях серии T3.

⇡#Samsung 850 EVO второй версии: как отличить при покупке

Samsung поменяла память и в некоторых вариантах ёмкости заменила контроллер, в результате 850 EVO второй версии сильно отличается от первой по внутреннему устройству, но не по формальным характеристикам. Но несмотря на это, Samsung решила дать покупателям возможность легко понять при покупке, какую версию 850 EVO они приобретают.

Сделать это можно, просто посмотрев на коробку. Упаковка более новых Samsung 850 EVO, основанных на TLC 3D V-NAND третьего поколения, выглядит немного иначе: для её оформления стала использоваться голубая краска плюс слегка изменились некоторые визуальные элементы.

Старая упаковка – Samsung 850 EVO v1 на базе 32-слойной TLC 3D V-NAND

Новая упаковка – Samsung 850 EVO v2 на базе 48-слойной TLC 3D V-NAND

В частности, на лицевой стороне коробки 850 EVO второй версии логотип Samsung теперь имеет новое начертание, а название модели стало более лаконичным: «V-NAND SSD 850 EVO». С оборотной же стороны новую версию сразу выдаёт серо-голубая, а не серая, горизонтальная полоса и декоративная печать с крупной литерой V внутри.

Есть отличия и в самом накопителе: здесь смотреть надо на серийный номер, помеченный на этикетке как S/N. Его же можно получить через фирменную утилиту Samsung Magician. Вторая версия Samsung 850 EVO на основе 48-слойной TLC V-NAND в настоящее время получает номера, начинающиеся с символов S2P, S2R или S2S.

 

Samsung 850 EVO v2 250 Гбайт

Жаль только, что эти отличия трудно проверить при покупке накопителей в интернет-магазине. Но, как нас заверили в представительстве Samsung, все поступающие в настоящее время в Россию по официальному каналу SSD серии 850 EVO ёмкостью 250 Гбайт и выше относятся уже ко второй версии с новой трёхмерной памятью третьего поколения.

Если Вы заметили ошибку — выделите ее мышью и нажмите CTRL+ENTER.

3dnews.ru

теперь на 64-слойной TLC 3D V-NAND / Накопители

2017 год стал переломным моментом, когда флеш-память с трёхмерной организацией по объёмам выпуска смогла превзойти привычную планарную память. Это напрямую связано с тем, что к настоящему моменту большинство производителей чипов NAND смогли, наконец, освоить технологические процессы для изготовления трёхмерной памяти с 64 слоями. В частности, в настоящее время Micron производит 256-гигабитные 64-слойные кристаллы NAND с площадью 59 мм2; у Toshiba с конвейера сходят 512-гигабитные 64-слойные кристаллы BiCS3 площадью около 132 мм2; компания SK Hynix предлагает партнёрам 72-слойную память с кристаллами объёмом 512 Гбит; а первопроходец технологии 3D NAND, компания Samsung, массово штампует 512-гигабитные кристаллы с площадью примерно 129 мм2. Приведённые числа наглядно показывают, что, благодаря внедрению очередного поколения технологии многослойной флеш-памяти, плотность получающихся полупроводниковых кристаллов повысилась столь серьёзно, что 3D NAND наконец-то стала действительно выгоднее планарной памяти. Превосходство в плотности хранения данных над лучшими по этой характеристике образцами планарной TLC NAND достигло трехкратного размера, и это наконец-то полностью перекрывает все преимущества старой технологии: то, что выпуск современной 15-нм памяти с однослойной организацией не требует технического перевооружения производства, что планарная память существенно проще и быстрее в изготовлении, а также что она позволяет получать заметно более высокий выход годной продукции.

Победа, одержанная технологией 3D NAND, заметна и по рынку потребительских продуктов. На прилавках магазинов начали массово появляться твердотельные накопители, построенные на 64-слойной памяти. Пока их, правда, не столь много, но почти все ведущие производители флеш-памяти уже отметились с массовыми моделями SSD, в которых устанавливается трёхмерная 64-слойная память. В качестве примеров следует упомянуть накопители-новинки Intel SSD 545s, Toshiba TR200, WD Blue 3D и SanDisk Ultra 3D. Удивительно лишь, что в этом списке SSD пока нет продукции Samsung: хотя эта компания и продемонстрировала первые образцы своей 64-слойной памяти более года тому назад, никаких свежих потребительских моделей SSD с SATA- или NVMe-интерфейсом, которые были бы на ней построены, с тех пор объявлено не было. Используя свою 64-слойную память, эта компания лишь запустила новую серию внешних твердотельных накопителей с интерфейсом USB 3.1 Gen 2 Type-C – Samsung Portable SSD T5.

Микросхемы 64-слойной TLC 3D V-NAND производства Samsung

Впрочем, говорить о том, что среди накопителей Samsung, устанавливаемых внутрь системных блоков, на сегодняшний день нет решений, где бы использовалась наиболее прогрессивная трёхмерная память, совершенно неверно. Такие модели существуют, просто их появление особо не афишируется. На самом же деле где-то в начале осени Samsung перевела на новую память свои наиболее востребованные продукты – 850 EVO и 960 EVO. И к настоящему моменту обновлённые версии этих накопителей начали достигать прилавков отечественных магазинов.

«Тайное» изменение начинки в поставляющихся на рынок накопителях – достаточно распространённая практика, ей пользуются не только подавляющее большинство компаний второго-третьего эшелона, но и некоторые лидеры рынка. Однако подход к таким махинациям может быть разным. Некоторые производители заменяют аппаратные компоненты, не особенно следя за тем, чтобы характеристики «усовершенствованной» версии продукта были не хуже, чем у изначальной. А некоторые, напротив, стараются пристально следить за тем, чтобы новые покупатели продолжали получать решения того же уровня, что и их предшественники. Samsung, судя по всему, относится ко второй группе. По крайней мере, когда трюк с заменой памяти эта компания проворачивала в прошлый раз – при переходе с 32-слойной на 48-слойную TLC 3D V-NAND, для конечных пользователей почти всё осталось по-старому. Начинка в 850 EVO тогда кардинально поменялась, но тесты показали, что реальные потребительские характеристики это практически не затронуло: производительность и надёжность остались на первоначальном уровне.

Теперь же Samsung решила провернуть тот же фокус ещё раз и вместо 850 EVO на базе 48-слойной TLC 3D V-NAND предложить покупателям другую, уже третью версию 850 EVO, в которой используется более новая 64-слойная память. И это снова вызывает вполне закономерные опасения: новая память имеет ядра вдвое большей ёмкости, а значит, степень параллелизма массивов флеш-памяти в накопителях серии 850 EVO снова уполовинивается. В теории это может вызвать не самые приятные последствия, однако представители компании уверяют, что переезд на новую элементную базу для конечных пользователей снова будет совершенно незаметен.

Однако мы не привыкли верить производителям на слово и поэтому, как только серийные образцы Samsung 850 EVO третьей версии оказались в пределах нашего доступа, взяли один экземпляр на тестирование. И теперь готовы рассказать, какие отличия и особенности есть у этой «тихой» новинки, по каким-то причинам представленной под старым именем.

⇡#Samsung 850 EVO версия 3.0: что изменилось

Стремление производителя перейти на использование более современной памяти вполне понятно. Её использование позволяет естественным образом снизить затраты на изготовление конечных изделий – твердотельных накопителей. А этим летом у Samsung как раз завершилось начатое в 2015 году строительство новой фабрики, расположенной в южнокорейском Пхёнтэке. Все появившиеся дополнительные производственные мощности предназначены для выпуска 64-слойной трёхмерной флеш-памяти, поэтому недостатка в такой 3D V-NAND у Samsung нет. Более того, прогнозируется даже, что к концу года новая память будет составлять как минимум половину всей флеш-продукции компании.

Экономический эффект от перехода на память c 64 слоями, которая относится уже к четвёртому поколению самсунговской 3D V-NAND, несмотря на всё возрастающую сложность производственного процесса, вполне очевиден. Себестоимость здесь снижается за счёт двух факторов: как из-за увеличения «этажности» размещения ячеек флеш-памяти на единице площади полупроводникового кристалла, так и в связи с очередным двукратным увеличением ёмкости самих кристаллов, которая доведена теперь до 512 Гбит. В результате, по сравнению со старой 48-слойной памятью, новая 64-слойная TLC 3D V-NAND обеспечивает примерно в полтора раза более высокую плотность хранения данных.

А это значит, что новые Samsung 850 EVO третьей версии, основанные на 64-слойной памяти с трёхбитовыми ячейками, оказываются банально выгоднее для производителя: с одной стороны, с ними можно наращивать норму прибыли, а с другой – можно с лёгкостью ввязываться в ценовые войны с конкурентами. Так, по имеющимся оценкам, третья версия Samsung 850 EVO суммарно оказалась рентабельнее прошлого варианта примерно на 10-20 процентов.

Однако выиграть от внедрения в 850 EVO 64-слойной памяти должен не только производитель. В TLC 3D V-NAND нового, четвёртого поколения внесены существенные архитектурные улучшения, которые позволили примерно в полтора раза сократить время, необходимое для программирования ячеек. Благодаря этому по скорости записи 64-слойная TLC 3D V-NAND компании Samsung превосходит стандартную планарную TLC-память уже почти вчетверо. Такие изменения в производительности чипов призваны эффективно компенсировать снижение параллелизма массива флеш-памяти, и новые Samsung 850 EVO по производительности записи должны не уступать накопителям прошлой версии, где использовались 256-гигабитные кристаллы 48-слойной TLC 3D NAND.

К тому же в наиболее критичных случаях, где уменьшение числа устройств NAND в массиве флеш-памяти действительно было способно отрицательно сказаться на быстродействии, инженеры Samsung решили использовать 64-слойную память с урезанными по ёмкости 256-гигабитными кристаллами. В частности, такие кристаллы устанавливаются в обновлённые Samsung 850 EVO ёмкостью 250 и 500 Гбайт.

Перевод модельного ряда 850 EVO на новое поколение 3D V-NAND не должен нанести удар и по надёжности, которая до сих пор была одним из сильных мест накопителей Samsung. В новой 64-слойной TLC-памяти компании Samsung разработчиками был произведён переход на сниженные входные напряжения устройств NAND, и это способно положительно сказаться на их ресурсе. В результате производитель говорит даже об увеличении реальной выносливости накопителей с новой памятью примерно на 20 процентов.

Вместе с тем, несмотря на существенные отличия новой памяти, никакие паспортные параметры у Samsung 850 EVO третьей версии не изменились. Компания продолжает заявлять для них скорости линейного чтения и записи на уровне 540 и 520 Мбайт/с, а производительность произвольных операций – 98 и 90 тысяч IOPS при чтении и записи соответственно. Нет перемен и в условиях гарантии. На накопители продолжает даваться пятилетняя гарантия, а объём записи, в пределах которого возможно гарантийное обслуживание, составляет 75 Тбайт для 250-Гбайт версии, 150 Тбайт – для накопителей ёмкостью 500 Гбайт и 1 Тбайт и 300 Тбайт – для наиболее вместительных модификаций.

Тем самым компания Samsung хочет показать, что, несмотря на второе за время жизни серии 850 EVO изменение её начинки, накопители сохраняют преемственность и стабильность характеристик. Тем не менее не стоит забывать, что эта серия на самом деле является неимоверно разнообразной с точки зрения внутренностей. В таких накопителях может использоваться три разных контроллера: MEX, MGX или MHX — три вида самсунговской TLC 3D V-NAND: второго, третьего или четвёртого поколения с 32, 48 и теперь 64 слоями.

⇡#Атака клонов: Samsung 850 EVO, Samsung 850 и Samsung 860 EVO

Третья версия Samsung 850 EVO приходит на рынок не слишком надолго. На самом деле это – некий переходный вариант, который в начале следующего года должен быть заменён полноценной новой моделью, название которой уже вовсю мелькает в новостях – 860 EVO. Для перспективного продукта инженеры Samsung готовят новый контроллер, но память там будет использоваться точно такая же, как в рассматриваемой в этом материале третьей версии 850 EVO, – 64-слойная TLC 3D V-NAND. Выход такой новинки поставит точку в модернизации аппаратной платформы, но каких-то существенных перемен в производительности ждать вряд ли следует: существующие 850 EVO выжимают возможности, предоставляемые интерфейсом SATA, практически полностью.

Поэтому, если вы хотите приобрести добротный SATA SSD сейчас, смысла ждать появления в продаже 860 EVO, скорее всего, нет. Третья версия Samsung 850 EVO с 64-слойной памятью достаточно хороша для того, чтобы удовлетворить запросы как простых пользователей, так и энтузиастов.

Понять же, какая версия Samsung 850 EVO перед вами, достаточно просто – для этого нужно обратиться к серийному номеру, указанному на коробке, на накопителе или в SMART. 48-слойная TLC 3D NAND третьего поколения стала попадать в накопители, когда их серийные номера достигли значений S2M000000000000. То же, что в конкретном SSD установлена новейшая 64-слойная TLC 3D NAND четвёртого поколения, можно распознать по значению серийного номера, превышающему S3L000000000000.

Никаких иных, более заметных признаков появления в накопителях 64-слойной памяти, к сожалению, нет. За одним важным исключением. При переводе серии 850 EVO на 48-слойную TLC 3D V-NAND компания Samsung исключила из ассортимента модификацию с ёмкостью 120 Гбайт. Поэтому доступные в продаже в настоящее время варианты 850 EVO имеют объём не менее 250 Гбайт. Но с переходом на 64-слойную память 120-гигабайтные версии возвращаются. Правда, доступны они будут лишь в отдельных странах (Россия в их число входит) и под немного видоизменённым названием – Samsung 850 (без окончания EVO).

Тем не менее такие накопители по своим основным характеристикам будут очень похожи на старые добрые 850 EVO 120 Гбайт первой версии – построенные на TLC 3D V-NAND c 32 слоями. Достигаться это будет благодаря тому, что в них будет применяться новая 64-слойная TLC 3D-память четвёртого поколения с усечённым до 256 Гбит объёмом кристаллов.

⇡#Samsung 850 EVO 500 Гбайт третьей версии: подробное знакомство

Для того чтобы в подробностях проверить, что представляет собой третья версия Samsung 850 EVO с 64-слойной памятью, мы по традиции взяли накопитель объёмом 500 Гбайт. Новая модификация ничем примечательным себя не выдавала. Единственный признак того, что память внутри накопителя обновилась, — это серийный номер. У нашего экземпляра он начинается с символов «S3N», что явно указывает на третью версию продукта (S3N – старше «точки отсчёта» S3L, с которой в самсунговские SSD стала попадать трёхмерная память четвёртого поколения).

Согласно серийному номеру, дата выпуска этого накопителя приходится на сентябрь 2017 года. Понять это можно по восьмому и девятому символу. В восьмом символе кодируется год выпуска (F – 2014, G – 2015, H – 2016, J – 2017, K – 2018), девятый – это порядковый номер месяца (ноябрь и декабрь кодируются буквами A и B соответственно). Больше ничего заслуживающего внимания во внешности отметить нельзя: корпус и информационная этикетка рассматриваемого Samsung 850 EVO совершенно стандартны, они не менялись за всё время жизни серии, с конца 2014 года.

Зато внутренности в очередной раз претерпели изменения. Впрочем, не слишком заметные. Дизайн печатной платы, сделанный с явной оглядкой на экономию текстолита, остался тем же, что и был. Но состав установленных на ней микросхем частично изменился.

Так, здесь можно наблюдать две новые микросхемы флеш-памяти, в которых упаковано по восемь 256-гигабитных кристаллов TLC 3D V-NAND с 64-слойной организацией. Эти микросхемы отличаются от предшественниц своей маркировкой: последний символ в третьей строке кодирует семейство памяти, и литера А соответствует четвёртому поколению самсунговской 3D V-NAND. Остальная элементная база сохранилась в неизменном виде. Накопитель управляется хорошо знакомым нам контроллером MGX, а помогает ему в работе оперативная память LPDDR3 SDRAM объёмом 512 Мбайт.

Таким образом, массив флеш-памяти в Samsung 850 EVO 500 Гбайт третьей версии составлен из шестнадцати устройств NAND, к которым контроллер обращается по восьми каналам с двукратным чередованием. Степень параллелизма кажется небольшой, однако этого вполне хватает для того, чтобы обеспечивать достаточную производительность операций записи. Архитектурные улучшения во флеш-памяти четвёртого поколения сделали своё дело, и, как и раньше, никакого падения скорости непрерывной записи при исчерпании объёма SLC-кеша у новой версии Samsung 850 EVO 500 Гбайт не наблюдается.

Кривая зависимости скорости линейной записи от объёма записанных данных выглядит как ровная линия, проходящая на уровне 500 Мбайт/с, несмотря на то, что объём SLC-кеша, реализованного в рамках фирменной технологии TurboWrite, у Samsung 850 EVO 500 Гбайт составляет всего 6 Гбайт.

В заключение нужно отметить и ещё один момент. Двухъядерный 550-мегагерцевый контроллер Samsung MGX оказался всеяден в плане поддерживаемой памяти. Он начал применяться ещё в Samsung 850 EVO первых версий и продемонстрировал свою способность нормально работать с трёхмерной памятью как с 32, так и с 48 и 64 слоями. При этом каждый раз его возможности инженеры «допиливали» микропрограммой. Это произошло и теперь, поэтому не стоит удивляться тому, что в новых Samsung 850 EVO вы встретите прошивку новой версии с номером EMT03B6Q – именно она и есть то самое ключевое звено, которое обеспечивает стыкование старого контроллера MGX с новой 64-слойной TLC 3D V-NAND.

Если Вы заметили ошибку — выделите ее мышью и нажмите CTRL+ENTER.

3dnews.ru

Монополия на скорость. Обзор твердотельных накопителей Samsung 850 EVO разных форм-факторов

Технические характеристики и особенности конструкции

«Эксперименты» с трехбитной памятью TLC на покупателях южнокорейский производитель начал еще в 2013 году. Прошлое поколение — 840 EVO — я считаю удачным, хотя о надежности этих SSD ходило много споров, ведь количество циклов перезаписи ячеек у TLC меньше, чем у MLC/SLC. По скоростным характеристикам такой тип памяти тоже уступает, так как для хранения трех бит информации задействуется восемь уровней напряжения, на снятие которых требуется больше времени. У MLC — вдвое меньше. При этом увеличивается износ ячейки. С внедрением новых технологических норм проблема лишь усугубляется, так как уменьшение размера ячейки (утоньшение слоя диэлектрика) приводит к утечке заряда с плавающего затвора.

Применение трехмерной структуры 3D V-NAND решает обе проблемы. Во-первых, послойная упаковка TLC занимает меньше места, чем, например, планарная MLC. Итог: нет смысла гнаться за уменьшением техпроцесса. Память в линейках 850 PRO и 850 EVO произведена по 40-нанометровым «доисторическим» нормам, что серьезно увеличивает ее надежность. В Samsung заявляют, что вероятность возникновения ошибок при считывании данных с TLC V-NAND в 10 раз ниже, чем у «обыкновенной» планарной TLC. Слова подкрепляются делом: на все накопители серии 850 EVO распространяется 5-летняя гарантия. Конкуренты предлагают в основном 3 года.

Во-вторых, в TLC V-NAND сокращено количество импульсов, подаваемых на управляющих затвор ячеек. Увеличена производительность. В итоге линейка 850 EVO несильно уступает 850 PRO в плане быстродействия. При этом накопители разного объема имеют приблизительно одинаковую производительность. Серьезного перекоса (согласно характеристикам) между моделями не наблюдается.

В обзор попали сразу два SSD с одинаковым объемом 500 Гбайт. Накопители с интерфейсами SATA 3.0 и M.2 обладают схожими техническими характеристиками. Конечно же, везде используется 40-нанометровая память TLC V-NAND с емкостью кристаллов 128 Гбит. Серия 850 EVO с интерфейсом SATA 3.0 насчитывает четыре модели. Устройство объемом 1 Тбайт несколько выделяется из «толпы», так как базируется на более производительном контроллере MEX. Этот же процессор используется в «твердотельниках» 850 PRO. Накопителей с интерфейсом M.2 всего три. Во всех случаях используется печатная плата формата 2280 с двумя ключами типа «B» и «М».

www.ferra.ru

Поддельный SSD Samsung 850 EVO 250GB

C твердотельными дисками SSD Samsung 850 EVO был знаком. Диски с хорошей производительностью и мне нравились, что при не стандартных вариация эксплуатации с ними не возникают не понятные ситуации и по этому считал, что приобрести их на весенней распродаже на Aliexpress для знакомы в подарок будет разумным вариантом. Но меня ожидали не приятные сюрпризы, так как один из присланных дисков, SSD Samsung 850 EVO 250Gb (MZ-75E250B), оказался поддельным.

Наверно многие привыкли, что есть поддельные планшеты, телефоны и карты памяти Samsung, но вот ожидать получения поддельного SSD диск Samsung, да к тому же от магазина который имел многочисленные положительные отзывы и где демонстрировались картинки с проверкой подлинности, неприятно в двойне. Ну что же, есть, что есть. Рассмотрим.

Начнем наверно с упаковки. Не имея оригинальной коробки и не зная на что обратить внимание, вы наверно не сможете определить подделка это или нет. На текущий момент уже сложилось некое представление, как сразу определить подделку не вскрывая запечатанную коробку. Думаю это информация будет полезна и для тех кто покупает компьютерную технику на всяких барахолках, центрах про продаже товаров из Китая или малознакомых компьютерных магазинах.


Оригинальная коробка от Samsung 850 EVO, выдержана в чермных и в серых тонах, поддельная на лицевой имеет синеву и размытость в левом осветленном углу картинки диска. Если посмотреть под углом на картинку диска, то можно уже спокойно заметить приличный слой краски используемый при печати отсюда и неровность поверхности.

С другой стороны, на поддельном экземпляре выделяется круглая печать с 3D V-NAND, из-за толстого слоя краски, печать получилось рельефная и отчётливо ощущается каждая буква, иероглиф и точки, что можно наверно закрытыми глазами прочитать что там написано. На оригинальной коробке, это едва заметно. Второй момент связанный с этим элементом, в том что на оригинальной коробке надпись выше черты 3D V-NAND располагается полностью на темном фоне, тогда как на поддельном диске, часть иероглифов располагается на светлом фоне.

Для наглядности, отличия подделки и оригинала (с левой стороны подделка):


Если вскрыть коробку с поддельным диском Samsung 850 EVO 250GB и сравнить с содержимое с оригинальным то можно узнать для себя (если вы конечно не знали), что у крупных производителей техники, в том числе Samsung, любая упаковка, пакетик, в общем любой элемент тары и комплектации имеет свой идентификационный номер. Для подделки это лишнее.

Подключаем SSD диск к компьютеру, то что это подделка под SSD Samsung 850 EVO 250GB можно определить по трем вещам, первое, это длинный серийный номер, оригинальный содержит 14(15) символов, кстати серийный номер на коробке скорей всего будет отличаться от серийного номера, который вы увидите в системе. Второй момент это версия прошивки, на оригинальном SSD Samsung 850 EVO 250GB на текущий момент используется только EMT01B6Q версия firmware (доступно обновление EMT02B6Q). Третий момент, это количество атрибутов в S.M.A.R.T, значительно больше чем в оригинальном (15 атрибутов) диске.


S.M.A.R.T. оригинального Samsung 850 EVO

Ну и конечно при запуске фирменного ПО Samsung Magician, напротив серийного номер вы не увидите уведомление что диск подлинный. И не сможете воспользоваться некоторыми функции приложения, в том числе включить RAPID Mode для увеличения быстродействия SSD.

Если вскрыть поддельный SSD диск SSD Samsung 850 EVO 250GB, то можно будет обнаружить четырёхканальный контроллер SMI SM2256 и планарную TLC-памяти производства SK Hynix.



Как выглядит внутри оригинальный диск SSD Samsung 850 EVO

можно посмотреть в обзорах 3Dnews,СomputerBase, Anandtech, tweaktown вскрывать свой оригинальный SSD Samsung 850 EVO 120GB не буду из за наличия гарантии.

Кстати насчет гарантии. В своем обзоре «Фирмовый SSD Samsung 850 EVO» genesiskot_RC, вводит людей в заблуждение по поводу гарантии для дисков, который были куплены, за пределами Таможенного Союза (России, Белоруссии и Казахстана). Вот кусочек ответа на мое обращение, связанного с поддельным твердотельным диском Samsung.

«Гарантия будет действовать в странах таможенного союза, то есть купленный накопитель в Белоруссии будет обслуживаться по гарантии в Казахстане и России, и наоборот. Китай относится к другому региону и не входит в таможенный союз. Гарантия на SSD накопители не носит международный характер.»

Производительность поддельного Samsung 850 EVO 250Gb, на удивление не такая ужасная.

AS SSD Benchmark


Anvil’s storage utilities

CrystalDiskMark

usb flash benchmark

Samsung Magician

h3testw

Но, все равно не дотягивает до оригинального Samsung 850 EVO.

«-Наши диски не подделывают» 🙂

Об магазине AE-Samsung Store и рассмотрении диспута Aliexpress

Общение с продавцом было достаточное длинное и если сократить переписку с представителями магазине AE-Samsung Store, то она выглядит так: Вы продали поддельный диск Samsung 850 EVO 250GB, потому что диск не проходит проверку подлинности, не работает RAPID Mode, серийные номера не совпадают, низкая производительность и при вскрытии там вообще нет элементной база от Samsung. Мне нужен оригинальный диск. Ответ: Верь нам на слово и нашим бумажкам, мы авторизированный продавец и у нас 100% оригинальный продукт. Ты что не хочешь SSD диск, он ведь работает.

Но больше всего, в этой не приятной ситуации, удивило и решение арбитража Aliexpreess, это не поддельный диск, так как нет веских доказательств, таких как фотографии или видео.

И это не смотря на то что, были загружены фото и видео материалы (начиная от распаковки посылки до вскрытия диска) и ссылок на спецификацию на официальном сайте Samsung и обзоры, где были фото разобранных оригинальных устройств и даже на просьбу арбитража предоставить ответ от компании, был предоставлен ответ от технической поддержкой на двух языках (русском и английском), хотя он был и обобщенный, но содержал ключевую информацию, что серийные номера, указанные на диске и то что показывают программы в системе не относятся к накопителю Samsung 850 EVO 250GB, а так же нелепые аргументы в диспуте от AE-Samsung Store.

Кстати, насчет бумажек, которые предъявляет AE-Samsung Store, что она авторизированный продавец, как рассказали знающие люди, логотип Samsung на синим фоне упрощен и уже не используется официально на всяких документах и бланках в компании Samsung.

Добавлено:

По совету людей в комментариях, обратился в чат в Службу поддержки и предоставив ссылку на облако со всеми доказательствами, что магазин AE-Samsung Store продал поддельный ssd диск. Спор не был пересмотрен системой, но деньги были возвращены.

mysku.ru

обзор, описание, характеристики и отзывы

Инженеры компании «Самсунг» около года назад скрестили технологии 3D и TLC Hand. В результате получился принципиально новый тип носителя – TLC V-Hand, который унаследовал все основные преимущества своих предшественников. Благодаря этой технологии новый SSD накопитель Samsung 850 EVO может предложить практически те же технические возможности, что и 850 Pro, но за сравнительно низкую цену.

Этот винчестер базируется на совершенно новой технологии управления трёхмерной флеш-памятью, где объединены многослойная структура 3D V-Hand и недорогая архитектура TLC. В результате у компании вырисовывается массовый продукт, чьи возможности сочетают в себе отличное соотношение цены, надёжности и производительности.

Итак, герой сегодняшнего обзора – Samsung SATA III 850 EVO. Попробуем обозначить все его преимущества наряду с недостатками, взяв в расчёт мнения специалистов и отзывы простых пользователей.

Технические характеристики

Даже несмотря на все нововведения компании, модель 850 EVO, остаётся, в некотором роде, наследником предыдущей линейки 840 EVO. Главными компонентами, характеризующими потребительские свойства 840 модели, были TLC-память, технология TurboWrite и фирменный контролирующий чип компании (МЕХ).

У нового SSD набор практически такой же, только поновее: вместо старого контроллера МЕХ используется обновлённый чип MGX, осталась и технология TurboWrite, только с приставкой «усовершенствованная», а место TLC-Hand заняла трёхмерная TLC V-Hand.

Естественно, что самым интересным нововведением в Samsung 850 EVO series стала трёхмерная память, соединившая в себе TLC и 3D технологии. Произошло это слияние весьма органично, и в результате получился надёжный и недорогой винчестер.

Достоинства модели

Если говорить о достоинствах винчестера, то первым делом стоит упомянуть пятилетнюю гарантию на новую линейку. Такой срок компания даёт своим флагманским моделям, таким как 850 Pro и Extreme Pro, а это значит, что бренд ожидает от Samsung 850 EVO ресурса ничуть не хуже чем от передовых SSD. Поэтому можно с уверенностью сказать, что надёжность новой модели явно выше среднего показателя и 850 EVO куда ближе к сегменту дорогих, чем бюджетных винчестеров.

Примерно то же самое можно сказать относительно скоростных характеристик линейки. Отставание EVO от признанного лидера по скорости Pro чисто символическое, и разница заметна только на операциях чтения, поэтому в повседневном использовании падения производительности заметно не будет.

Дополнительные возможности и ПО

Помимо хорошего запаса ресурсов и производительности, в Samsung 850 EVO реализованы и остальные показатели добротного накопителя в лице энергосберегающего модуля DevSleep и аппаратного шифровальщика на движке TCG Opal 2.0 со стандартом IEEE-1667, который может управляться через стандартный софт типа BitLocker в любой операционной системе.

Можно также отметить, что все твердотельные SSD от «Самсунг» обеспечены одной из лучших и признанных утилит Magican (версия 4.5 на декабрь 2015 г.) с поддержкой технологии Rapid 2.1 для программного кеширования оперативной памяти в точках ввода и вывода. Отзывы пользователей неоднократно отмечали полезность и удобство софта, которым оснащены винчестеры компании.

Внешний вид

Samsung 850 EVO 120Gb работает с восьмиканальной архитектурой, и планарная TLC V-Hand, которой оснащаются эти накопители, имеет 128-гигабитные ядра, поэтому более ёмкие модификации обладают большей производительностью, хотя и выглядят совершенно одинаково.

Компания в своих линейках использует тонкостенный алюминиевый корпус высотой в 7 мм и размером 2,5 дюйма – точно такой же, как во флагманских моделях 850 Pro. Цветовая гамма исключительно чёрная, на лицевой части винчестера нанесён логотип бренда и серый квадрат, который присутствует в том или ином виде на всех моделях компании.

На тыльной стороне винчестера находится этикетка, где отражена вся основная информация о продукте: название, ёмкость, артикул, штрих-код, серийный номер и т.д.

Внутреннее устройство

Внутренняя часть Samsung 850 EVO смотрится куда необычнее внешней. Как это ни странно, но при вскрытии накопителя настолько маленькие габариты печатной платы удивляют, также интерес вызывает присутствие всего четырёх микросхем. Размеры платы явно далеки от того, чтобы заполнить всё пространство внутри корпуса.

Компания использует в своих устройствах современные технологические процессы, которые позволяют обойтись без теплопроводящих прокладок или каких-либо других средств, отводящих тепло от платы на поверхность винчестера. Не стали инженеры раскошеливаться и на усиленную схему энергосбережения, позволяющую контроллеру быстро и правильно завершать работу с таблицами во время внезапных отключений от сети Samsung 850 EVO. Отзывы пользователей единогласно считают, что компания зря не включила такой важный элемент в свои SSD. Но этот недочёт касается только EVO линейки, у флагманов схема присутствует и успешно работает.

На платах видны базовые контроллеры MGX и чипы памяти, работающие по 40-нм техпроцессу. Там же можно увидеть микросхемы оперативной памяти, ничем не отличающиеся друг от друга.

Последовательные операции чтения и записи

Скорость, с которой Samsung 850 EVO последовательно считывает информацию, вызывает исключительно положительные эмоции. Сочетание нового восьмиканального чипа MGX и системы TLC V-Hand позволяет разогнать интерфейс SATA на максимум своих возможностей, поэтому показатели скорости линейки ограничиваются лишь пропускными способностями системы, но никак не внутренними барьерами.

Что касается последовательной записи, то здесь ситуация немного другая. Теоретически, а при наличии хорошего системного блока и фактически, последовательная запись EVO аналогична флагману Pro, что не может не радовать. Однако при использовании модификаций объёмом 250 Гб и ниже, модели похвастаться высокой скоростью не могут, и стендовые значения записи приближаются к винчестерам 840 серии.

Случайные операции чтения по линейке Samsung 850 EVO

Обзор современных SSD для многих энтузиастов важен только одним пунктом – показателем скорости случайного чтения. С одной стороны, скорость обработки случайных операций не ограничивается интерфейсом, а с другой – значительная часть поступающих запросов у современных жёстких дисков имеет случайный характер. Тем не менее, несмотря ни на что, производительность новых винчестеров практически не изменилась, и можно было бы предположить, что прогресс в этой части остановился вовсе. Но новая линейка EVO под управлением чипа MGX показала, что потенциал систем SATA в современных моделях далеко не исчерпан.

Стендовые проверки показали, что 850 серия значительно улучшила свои показатели по сравнению с ранее достигнутыми пределами скорости случайного чтения. Особенно это заметно в модификациях 500 Гб: она оторвалась не только от аналогов других производителей, но от своей линейки на 10-15 процентов.

Лидерство модели заметно при любой глубине запросов независимо от очереди, исключением может быть только максимальная очередность. Но если брать в расчёт, что такая нагрузка у десктопов практически никогда не фиксируется, то можно назвать Samsung 850 EVO лидером сегодняшнего дня по скорости чтения.

Подводя итог

Компания «Самсунг» занимает лидирующие позиции в сегменте твердотельных накопителей не просто так. Талантливый персонал и огромные производственные мощности позволили бренду создать интересные и универсальные продукты, которые в значительной мере отличаются от того, что предлагают конкурирующие фирмы. И сегодняшний обзор является тому подтверждением: комбинирование сильных сторон старых моделей позволили компании обойти все классические недостатки прошлых линеек и создать винчестер, намного превосходящий аналогичные флеш-приводы, построенные на системах MLC Hand.

Накопитель 850 EVO стоит рассматривать как добротный, сравнительно долговечный и быстродействующий внешний винчестер, который в состоянии конкурировать с флагманскими моделями других производителей.

Премиальный вариант в лице 850 Pro рассчитан на людей, которым нужна экстраординарная надёжность и высочайшая производительность, в то время как линейка 850 EVO предлагает хорошую надёжность и отличную производительность, но со значительной экономией. Поэтому, если вы подыскиваете для себя внешний диск для обычной системы, не требующей огромных мощностей, то Samsung 850 EVO – идеальный выбор.

fb.ru

alexxlab

Отправить ответ

avatar
  Подписаться  
Уведомление о